제조업체 제품 번호:
STB18N60M2
Product Overview
제조사:
STMicroelectronics
부품 번호:
STB18N60M2-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
상세 설명:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
재고:
916 새로운 원본 재고 있음
12879278
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제출
STB18N60M2 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
STMicroelectronics
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
MDmesh™ II Plus
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
13A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
280mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
791 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
110W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
D2PAK
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
STB18
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
-497-13933-2
STB18N60M2-DG
-497-13933-1
497-13933-1
497-13933-2
-497-13933-6
497-13933-6
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IPB60R299CPAATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
3987
부품 번호
IPB60R299CPAATMA1-DG
단가
1.41
대체 유형
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