제조업체 제품 번호:
STB2N62K3
Product Overview
제조사:
STMicroelectronics
부품 번호:
STB2N62K3-DG
설명:
MOSFET N-CH 620V 2.2A TO263
상세 설명:
N-Channel 620 V 2.2A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
재고:
634 새로운 원본 재고 있음
12870487
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
STB2N62K3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
STMicroelectronics
포장
-
시리즈
SuperMESH3™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
620 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
2.2A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.5V @ 50µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
340 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
45W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-263 (D2PAK)
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
STB2N
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
-497-12971-6
497-12971-6
497-12971-2
497-12971-1
-497-12971-2
-497-12971-1
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IRFBC20STRLPBF
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
416
부품 번호
IRFBC20STRLPBF-DG
단가
1.14
대체 유형
Similar
DIGI 인증
관련 상품
STD7NM60N
MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
STP9NK65Z
MOSFET N-CH 650V 6.4A TO220AB
STH320N4F6-2
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK
