제조업체 제품 번호:
STB36NM60ND
Product Overview
제조사:
STMicroelectronics
부품 번호:
STB36NM60ND-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
상세 설명:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
재고:
978 새로운 원본 재고 있음
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제출
STB36NM60ND 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
STMicroelectronics
포장
Cut Tape (CT)
시리즈
FDmesh™ II
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
29A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
110mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
80.4 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2785 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
190W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
급
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-263 (D2PAK)
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
STB36
추가 정보
다른 이름들
497-13861-6
497-13861-1
497-13861-2
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IPB60R099CPAATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
700
부품 번호
IPB60R099CPAATMA1-DG
단가
4.17
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0
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5.89
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0
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단가
2.30
대체 유형
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