STD10NM60ND
제조업체 제품 번호:

STD10NM60ND

Product Overview

제조사:

STMicroelectronics

부품 번호:

STD10NM60ND-DG

설명:

MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
상세 설명:
N-Channel 600 V 8A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount DPAK

재고:

2200 새로운 원본 재고 있음
12880001
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제출

STD10NM60ND 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
STMicroelectronics
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
FDmesh™ II
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
8A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
600mOhm @ 4A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
577 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
70W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
DPAK
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
STD10

추가 정보

다른 이름들
497-12239-2
497-12239-1
-497-12239-6
497-12239-6
-497-12239-2
-497-12239-1
표준 패키지
2,500

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
IPD80R600P7ATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
5056
부품 번호
IPD80R600P7ATMA1-DG
단가
0.60
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