제조업체 제품 번호:
STD12N65M2
Product Overview
제조사:
STMicroelectronics
부품 번호:
STD12N65M2-DG
설명:
MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
상세 설명:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK
재고:
2088 새로운 원본 재고 있음
12878557
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제출
STD12N65M2 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
STMicroelectronics
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
MDmesh™ M2
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
8A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
500mOhm @ 4A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
535 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
85W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
DPAK
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
STD12
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
497-15458-2
497-15458-1
497-15458-6
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IPD80R600P7ATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
5056
부품 번호
IPD80R600P7ATMA1-DG
단가
0.60
대체 유형
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