제조업체 제품 번호:
STD1NK60-1
Product Overview
제조사:
STMicroelectronics
부품 번호:
STD1NK60-1-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
상세 설명:
N-Channel 600 V 1A (Tc) 30W (Tc) Through Hole I-PAK
재고:
5751 새로운 원본 재고 있음
12879508
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
STD1NK60-1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
STMicroelectronics
포장
Tube
시리즈
SuperMESH™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
1A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
8.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.7V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
156 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
30W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
I-PAK
패키지 / 케이스
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
기본 제품 번호
STD1
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
497-12782-5
STD1NK60-1-DG
-497-12782-5
STD1NK601
표준 패키지
75
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
STW43NM60N
MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
STL36N60M6
MOSFET N-CH 600V 25A PWRFLAT HV
STP4NK80ZFP
MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP
