제조업체 제품 번호:
STFI20N65M5
Product Overview
제조사:
STMicroelectronics
부품 번호:
STFI20N65M5-DG
설명:
MOSFET N CH 650V 18A I2PAKFP
상세 설명:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)
재고:
1453 새로운 원본 재고 있음
12872846
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제출
STFI20N65M5 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
STMicroelectronics
포장
Tube
시리즈
MDmesh™ V
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
18A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
190mOhm @ 9A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1345 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
130W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-281 (I2PAKFP)
패키지 / 케이스
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
기본 제품 번호
STFI20N
추가 정보
다른 이름들
-497-13533
497-13533
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IPI65R190C6XKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
480
부품 번호
IPI65R190C6XKSA1-DG
단가
1.52
대체 유형
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