제조업체 제품 번호:
STFI4N62K3
Product Overview
제조사:
STMicroelectronics
부품 번호:
STFI4N62K3-DG
설명:
MOSFET N CH 620V 3.8A I2PAKFP
상세 설명:
N-Channel 620 V 3.8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)
재고:
1409 새로운 원본 재고 있음
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제출
STFI4N62K3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
STMicroelectronics
포장
Tube
시리즈
SuperMESH3™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
620 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
3.8A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
2Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.5V @ 50µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
550 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
25W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-281 (I2PAKFP)
패키지 / 케이스
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
기본 제품 번호
STFI4N
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
-497-13268-5
497-13268-5-DG
497-13268-5
497-STFI4N62K3
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
DIGI 인증
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