제조업체 제품 번호:
STH30N65DM6-7AG
Product Overview
제조사:
STMicroelectronics
부품 번호:
STH30N65DM6-7AG-DG
설명:
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
상세 설명:
N-Channel 650 V 28A (Tc) 223W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
재고:
235 새로운 원본 재고 있음
12993145
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제출
STH30N65DM6-7AG 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
STMicroelectronics
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
MDmesh™ DM2
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
28A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
115mOhm @ 10A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.75V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2000 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
223W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
급
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
H2PAK-7
패키지 / 케이스
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
497-STH30N65DM6-7AGCT
497-STH30N65DM6-7AGDKR
497-STH30N65DM6-7AGTR
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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