제조업체 제품 번호:
STP110N7F6
Product Overview
제조사:
STMicroelectronics
부품 번호:
STP110N7F6-DG
설명:
MOSFET N-CHANNEL 68V 110A TO220
상세 설명:
N-Channel 68 V 110A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-220
재고:
12879682
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
STP110N7F6 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
STMicroelectronics
포장
-
시리즈
STripFET™ F6
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
68 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
110A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 55A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
5850 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
176W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
STP110
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
STP110N7F6-DG
497-17934
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IRFB3307ZPBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
1731
부품 번호
IRFB3307ZPBF-DG
단가
0.99
대체 유형
Similar
부품 번호
IPP057N06N3GXKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
494
부품 번호
IPP057N06N3GXKSA1-DG
단가
0.67
대체 유형
Similar
DIGI 인증
관련 상품
STP28N60M2
MOSFET N-CH 600V 24A TO220
STDLED623
MOSFET N-CH 620V 3A DPAK
STB11NM80T4
MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
