제조업체 제품 번호:
STP26N60DM6
Product Overview
제조사:
STMicroelectronics
부품 번호:
STP26N60DM6-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 18A TO220
상세 설명:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220
재고:
12877366
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
STP26N60DM6 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
STMicroelectronics
포장
Tube
시리즈
MDmesh™ DM6
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
18A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
195mOhm @ 9A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.75V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
940 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
130W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
STP26
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
497-18499
표준 패키지
350
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
TK16E60W,S1VX
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
39
부품 번호
TK16E60W,S1VX-DG
단가
1.10
대체 유형
Similar
부품 번호
IPP60R199CPXKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
512
부품 번호
IPP60R199CPXKSA1-DG
단가
1.75
대체 유형
Similar
부품 번호
IPP65R190C7FKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
499
부품 번호
IPP65R190C7FKSA1-DG
단가
1.23
대체 유형
Similar
부품 번호
TK20E60W,S1VX
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
35
부품 번호
TK20E60W,S1VX-DG
단가
2.29
대체 유형
Similar
DIGI 인증
관련 상품
STP11NM60N
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
STW70N10F4
MOSFET N-CH 100V 65A TO247-3
STF11NM50N
MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP
