제조업체 제품 번호:
STP35N65M5
Product Overview
제조사:
STMicroelectronics
부품 번호:
STP35N65M5-DG
설명:
MOSFET N-CH 650V 27A TO220AB
상세 설명:
N-Channel 650 V 27A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220
재고:
12871789
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제출
STP35N65M5 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
STMicroelectronics
포장
-
시리즈
MDmesh™ V
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
27A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
98mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3750 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
160W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
STP35N
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
-497-10080-5
497-10080-5
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
TK31E60W,S1VX
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
48
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TK31E60W,S1VX-DG
단가
3.82
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