제조업체 제품 번호:
STP60NE06L-16
Product Overview
제조사:
STMicroelectronics
부품 번호:
STP60NE06L-16-DG
설명:
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
상세 설명:
N-Channel 60 V 60A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220
재고:
12876082
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제출
STP60NE06L-16 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
STMicroelectronics
포장
-
시리즈
STripFET™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
60A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
14mOhm @ 30A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
70 nC @ 5 V
Vgs(최대)
±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4150 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
150W (Tc)
작동 온도
175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
STP60N
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
FDP16AN08A0
제조사
Fairchild Semiconductor
구매 가능 수량
3500
부품 번호
FDP16AN08A0-DG
단가
0.86
대체 유형
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