제조업체 제품 번호:
STQ1HN60K3-AP
Product Overview
제조사:
STMicroelectronics
부품 번호:
STQ1HN60K3-AP-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
상세 설명:
N-Channel 600 V 400mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
재고:
3486 새로운 원본 재고 있음
12877490
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제출
STQ1HN60K3-AP 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
STMicroelectronics
포장
Tape & Box (TB)
시리즈
SuperMESH3™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
400mA (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
8Ohm @ 600mA, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.5V @ 50µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
140 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
3W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-92-3
패키지 / 케이스
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
기본 제품 번호
STQ1
추가 정보
다른 이름들
-497-13784-3
-497-13784-1
497-13784-1
497-13784-3
표준 패키지
2,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
STQ2HNK60ZR-AP
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
9835
부품 번호
STQ2HNK60ZR-AP-DG
단가
0.28
대체 유형
Direct
DIGI 인증
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