제조업체 제품 번호:
STS19N3LLH6
Product Overview
제조사:
STMicroelectronics
부품 번호:
STS19N3LLH6-DG
설명:
MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
상세 설명:
N-Channel 30 V 19A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
재고:
12874108
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제출
STS19N3LLH6 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
STMicroelectronics
포장
-
시리즈
DeepGATE™, STripFET™ VI
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
19A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
5.6mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
17 nC @ 15 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1690 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.7W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-SOIC
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
기본 제품 번호
STS19
추가 정보
다른 이름들
497-12677-2
497-12677-1
-497-12677-2
-497-12677-1
STS19N3LLH6-DG
497-12677-6
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
SI4634DY-T1-E3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
4811
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SI4634DY-T1-E3-DG
단가
0.65
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