제조업체 제품 번호:
STY60NM60
Product Overview
제조사:
STMicroelectronics
부품 번호:
STY60NM60-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 60A MAX247
상세 설명:
N-Channel 600 V 60A (Tc) 560W (Tc) Through Hole MAX247™
재고:
12879468
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
STY60NM60 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
STMicroelectronics
포장
Tube
시리즈
MDmesh™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
60A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
55mOhm @ 30A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
266 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
7300 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
560W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
MAX247™
패키지 / 케이스
TO-247-3
기본 제품 번호
STY60
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
497-STY60NM60
497-3268-5
497-3268-5-DG
497-3268-5-NDR
표준 패키지
30
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
APT60N60BCSG
제조사
Microchip Technology
구매 가능 수량
137
부품 번호
APT60N60BCSG-DG
단가
15.64
대체 유형
Similar
DIGI 인증
관련 상품
STW48N60M2-4
MOSFET N-CH 600V 42A TO247-4L
STP5NK80ZFP
MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220FP
STI24NM65N
MOSFET N-CH 650V 19A I2PAK
