제조업체 제품 번호:
TSM080NB03CR
Product Overview
제조사:
Taiwan Semiconductor Corporation
부품 번호:
TSM080NB03CR-DG
설명:
30V, 59A, SINGLE N-CHANNEL POWE
상세 설명:
N-Channel 30 V 14A (Ta), 59A (Tc) 3.1W (Ta), 55.6W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
재고:
12998391
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제출
TSM080NB03CR 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Taiwan Semiconductor
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
14A (Ta), 59A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
8mOhm @ 14A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1097 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
3.1W (Ta), 55.6W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-PDFN (5x6)
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
기본 제품 번호
TSM080
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
1801-TSM080NB03CRTR
표준 패키지
5,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
TSM080NB03CR RLG
제조사
Taiwan Semiconductor Corporation
구매 가능 수량
5000
부품 번호
TSM080NB03CR RLG-DG
단가
0.22
대체 유형
Parametric Equivalent
DIGI 인증
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