제조업체 제품 번호:
TSM10ND65CI
Product Overview
제조사:
Taiwan Semiconductor Corporation
부품 번호:
TSM10ND65CI-DG
설명:
650V, 10A, SINGLE N-CHANNEL POW
상세 설명:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 56.8W (Tc) Through Hole ITO-220
재고:
13374309
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제출
TSM10ND65CI 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Taiwan Semiconductor
포장
Tube
시리즈
-
포장
Tube
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
10A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
800mOhm @ 3A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.8V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
39.6 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1863 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
56.8W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
ITO-220
패키지 / 케이스
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
기본 제품 번호
TSM10
추가 정보
다른 이름들
1801-TSM10ND65CI
표준 패키지
4,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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