제조업체 제품 번호:
TSM1NB60CP
Product Overview
제조사:
Taiwan Semiconductor Corporation
부품 번호:
TSM1NB60CP-DG
설명:
600V, 1A, SINGLE N-CHANNEL POWER
상세 설명:
N-Channel 600 V 1A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
재고:
12999206
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제출
TSM1NB60CP 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Taiwan Semiconductor
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
1A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
10Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
138 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
39W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-252 (DPAK)
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
TSM1
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
1801-TSM1NB60CPTR
표준 패키지
5,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
TSM1NB60CP ROG
제조사
Taiwan Semiconductor Corporation
구매 가능 수량
8702
부품 번호
TSM1NB60CP ROG-DG
단가
0.21
대체 유형
Parametric Equivalent
DIGI 인증
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