제조업체 제품 번호:
TSM60NC196CI
Product Overview
제조사:
Taiwan Semiconductor Corporation
부품 번호:
TSM60NC196CI-DG
설명:
600V, 20A, SINGLE N-CHANNEL POWE
상세 설명:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 70W (Tc) Through Hole ITO-220
재고:
12999091
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제출
TSM60NC196CI 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Taiwan Semiconductor
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
20A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
196mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1535 pF @ 300 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
70W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
ITO-220
패키지 / 케이스
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
기본 제품 번호
TSM60
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
1801-TSM60NC196CI
표준 패키지
4,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
TSM60NC196CI C0G
제조사
Taiwan Semiconductor Corporation
구매 가능 수량
3840
부품 번호
TSM60NC196CI C0G-DG
단가
1.47
대체 유형
Parametric Equivalent
DIGI 인증
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