제조업체 제품 번호:
TSM680P06CH
Product Overview
제조사:
Taiwan Semiconductor Corporation
부품 번호:
TSM680P06CH-DG
설명:
-60V, -18A, SINGLE P-CHANNEL POW
상세 설명:
P-Channel 60 V 18A (Tc) 20W (Tc) Through Hole TO-251S (IPAK SL)
재고:
13001318
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
TSM680P06CH 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Taiwan Semiconductor
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
18A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
68mOhm @ 6A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
16.4 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
870 pF @ 30 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
20W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-251S (IPAK SL)
패키지 / 케이스
TO-251-3 Stub Leads, IPak
기본 제품 번호
TSM680
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
1801-TSM680P06CH
표준 패키지
15,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
TSM680P06CH X0G
제조사
Taiwan Semiconductor Corporation
구매 가능 수량
8799
부품 번호
TSM680P06CH X0G-DG
단가
0.24
대체 유형
Parametric Equivalent
DIGI 인증
관련 상품
GT095N10K
N100V, RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)
TSM056NH04LCV RGG
40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
AS1M025120P
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
