제조업체 제품 번호:
TSM80N1R2CP
Product Overview
제조사:
Taiwan Semiconductor Corporation
부품 번호:
TSM80N1R2CP-DG
설명:
800V, 5.5A, SINGLE N-CHANNEL POW
상세 설명:
N-Channel 800 V 5.5A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
재고:
13005081
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제출
TSM80N1R2CP 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Taiwan Semiconductor
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
800 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
19.4 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
685 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
110W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-252 (DPAK)
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
TSM80
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
1801-TSM80N1R2CPTR
표준 패키지
5,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
TSM80N1R2CP ROG
제조사
Taiwan Semiconductor Corporation
구매 가능 수량
5000
부품 번호
TSM80N1R2CP ROG-DG
단가
1.15
대체 유형
Parametric Equivalent
부품 번호
IPD80R1K0CEATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
2125
부품 번호
IPD80R1K0CEATMA1-DG
단가
0.58
대체 유형
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