제조업체 제품 번호:
CSD13302WT
Product Overview
제조사:
Texas Instruments
부품 번호:
CSD13302WT-DG
설명:
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
상세 설명:
N-Channel 12 V 1.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
재고:
337 새로운 원본 재고 있음
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제출
CSD13302WT 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Texas Instruments
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
NexFET™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
12 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
1.6A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
2.5V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
17.1mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
7.8 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
862 pF @ 6 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.8W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
4-DSBGA (1x1)
패키지 / 케이스
4-UFBGA, DSBGA
기본 제품 번호
CSD13302
데이터 시트 및 문서
데이터시트
제조업체 제품 페이지
추가 정보
다른 이름들
TEXTISCSD13302WT
2156-CSD13302WT
296-CSD13302WTCT
CSD13302WT-DG
296-CSD13302WTTR
296-CSD13302WTDKR
표준 패키지
250
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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