제조업체 제품 번호:
CSD16323Q3T
Product Overview
제조사:
Texas Instruments
부품 번호:
CSD16323Q3T-DG
설명:
PROTOTYPE
상세 설명:
N-Channel 25 V 20A (Ta), 105A (Tc) 2.8W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
재고:
12996156
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제출
CSD16323Q3T 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Texas Instruments
포장
-
시리즈
NexFET™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
25 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
20A (Ta), 105A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
3V, 8V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 24A, 8V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
8.4 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
+10V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1300 pF @ 12.5 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.8W (Ta), 74W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
기본 제품 번호
CSD16323
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
296-CSD16323Q3T
표준 패키지
1
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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