제조업체 제품 번호:
CSD18510KCS
Product Overview
제조사:
Texas Instruments
부품 번호:
CSD18510KCS-DG
설명:
MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3
상세 설명:
N-Channel 40 V 200A (Ta) 250W (Ta) Through Hole TO-220-3
재고:
789 새로운 원본 재고 있음
13022595
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제출
CSD18510KCS 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Texas Instruments
포장
Tube
시리즈
NexFET™
포장
Tube
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
40 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
200A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
75 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
11400 pF @ 20 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
250W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220-3
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
CSD18510
데이터 시트 및 문서
데이터시트
제조업체 제품 페이지
추가 정보
다른 이름들
296-47695
CSD18510KCS-ND
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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