CSD19538Q2
제조업체 제품 번호:

CSD19538Q2

Product Overview

제조사:

Texas Instruments

부품 번호:

CSD19538Q2-DG

설명:

MOSFET N-CH 100V 14.4A 6WSON
상세 설명:
N-Channel 100 V 14.4A (Ta) 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) Surface Mount 6-WSON (2x2)

재고:

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제출

CSD19538Q2 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Texas Instruments
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
NexFET™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
14.4A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
6V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
59mOhm @ 5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.8V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
5.6 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
454 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
6-WSON (2x2)
패키지 / 케이스
6-WDFN Exposed Pad
기본 제품 번호
CSD19538

데이터 시트 및 문서

데이터시트
제조업체 제품 페이지

추가 정보

다른 이름들
CSD19538Q2-DG
296-47322-6
296-47322-1
296-47322-2
표준 패키지
3,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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