제조업체 제품 번호:
CSD86330Q3D
Product Overview
제조사:
Texas Instruments
부품 번호:
CSD86330Q3D-DG
설명:
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
상세 설명:
Mosfet Array 25V 20A 6W Surface Mount 8-LSON (3.3x3.3)
재고:
23708 새로운 원본 재고 있음
12791527
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제출
CSD86330Q3D 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Texas Instruments
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
NexFET™
제품 상태
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
25V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
20A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
9.6mOhm @ 14A, 8V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.1V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
6.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
920pF @ 12.5V
전력 - 최대
6W
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-PowerLDFN
공급업체 장치 패키지
8-LSON (3.3x3.3)
기본 제품 번호
CSD86330Q3
데이터 시트 및 문서
데이터시트
제조업체 제품 페이지
추가 정보
다른 이름들
296-28216-2
TEXTISCSD86330Q3D
296-28216-6
-296-28216-1-DG
-CSD86330Q3D-NDR
2156-CSD86330Q3D
296-28216-1
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Affected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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