제조업체 제품 번호:
2SA1869-Y(Q,M)
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
2SA1869-Y(Q,M)-DG
설명:
TRANS PNP 50V 3A TO220NIS
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 3 A 100MHz 10 W Through Hole TO-220NIS
재고:
12889794
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제출
2SA1869-Y(Q,M) 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
트랜지스터 유형
PNP
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
3 A
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
50 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
600mV @ 200mA, 2A
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
70 @ 500mA, 2V
전력 - 최대
10 W
빈도 - 전환
100MHz
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
TO-220-3 Full Pack
공급업체 장치 패키지
TO-220NIS
기본 제품 번호
2SA1869
추가 정보
다른 이름들
2SA1869YQM
2SA1869-Y(QM)
표준 패키지
1
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0075
대체 모델
부품 번호
2SA2097(TE16L1,NQ)
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
72
부품 번호
2SA2097(TE16L1,NQ)-DG
단가
0.25
대체 유형
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