2SA1955FVBTPL3Z
제조업체 제품 번호:

2SA1955FVBTPL3Z

Product Overview

제조사:

Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호:

2SA1955FVBTPL3Z-DG

설명:

TRANS PNP 12V 0.4A VESM
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 12 V 400 mA 130MHz 100 mW Surface Mount VESM

재고:

2695 새로운 원본 재고 있음
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제출

2SA1955FVBTPL3Z 기술 사양

카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
트랜지스터 유형
PNP
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
400 mA
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
12 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 200mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
300 @ 10mA, 2V
전력 - 최대
100 mW
빈도 - 전환
130MHz
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
SOT-723
공급업체 장치 패키지
VESM
기본 제품 번호
2SA1955

추가 정보

다른 이름들
2SA1955FV-B(TPL3,Z
2SA1955FVBTPL3ZDKR
2SA1955FVBTPL3ZCT
2SA1955FVBTPL3ZTR
표준 패키지
8,000

환경 및 수출 분류

수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0075

대체 모델

부품 번호
2SA2030T2L
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
0
부품 번호
2SA2030T2L-DG
단가
0.10
대체 유형
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