2SB906-Y(TE16L1,NQ
제조업체 제품 번호:

2SB906-Y(TE16L1,NQ

Product Overview

제조사:

Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호:

2SB906-Y(TE16L1,NQ-DG

설명:

TRANS PNP 60V 3A PW-MOLD
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 9MHz 1 W Surface Mount PW-MOLD

재고:

12890841
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2SB906-Y(TE16L1,NQ 기술 사양

카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
PNP
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
3 A
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
60 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
1.7V @ 300mA, 3A
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 5V
전력 - 최대
1 W
빈도 - 전환
9MHz
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
공급업체 장치 패키지
PW-MOLD
기본 제품 번호
2SB906

추가 정보

다른 이름들
2SB906-Y(Q)
2SB906-Y(TE16L1NQDKR
2SB906-Y(TE16L1NQCT
2SB906Y(TE16L1NQ
2SB906-Y(TE16L1NQ)-DG
2SB906-Y(TE16L1,NQ)
2SB906-Y(TE16L1,NQCT
2SB906-Y(TE16L1NQ-DG
2SB906-Y(Q)-DG
2SB906-Y(TE16L1NQ
2SB906-Y(TE16L1NQTR
2SB906Y(TE16L1NQ-DG
2SB906-Y(TE16L1NQ)
2SB906YTE16L1NQ
표준 패키지
2,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
2SB1202T-TL-E
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onsemi
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