제조업체 제품 번호:
2SC5200N(S1,E,S)
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
2SC5200N(S1,E,S)-DG
설명:
TRANS NPN 230V 15A TO3P
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P(N)
재고:
12891483
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제출
2SC5200N(S1,E,S) 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
NPN
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
15 A
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
230 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
3V @ 800mA, 8A
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
5µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
80 @ 1A, 5V
전력 - 최대
150 W
빈도 - 전환
30MHz
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
TO-3P-3, SC-65-3
공급업체 장치 패키지
TO-3P(N)
기본 제품 번호
2SC5200
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2SC5200N(S1ES)
표준 패키지
25
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0075
대체 모델
DIGI 인증
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