제조업체 제품 번호:
2SC6026MFV-Y,L3F
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
2SC6026MFV-Y,L3F-DG
설명:
TRANS NPN 50V 0.15A VESM
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 150 mA 60MHz 150 mW Surface Mount VESM
재고:
16026 새로운 원본 재고 있음
12889865
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제출
2SC6026MFV-Y,L3F 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
NPN
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
150 mA
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
50 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 6V
전력 - 최대
150 mW
빈도 - 전환
60MHz
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
SOT-723
공급업체 장치 패키지
VESM
기본 제품 번호
2SC6026
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2SC6026MFV-Y,L3F(B
2SC6026MFV-YL3FDKR
2SC6026MFV-YL3FTR
2SC6026MFV-YL3FCT
표준 패키지
8,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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