2SC6076(TE16L1,NV)
제조업체 제품 번호:

2SC6076(TE16L1,NV)

Product Overview

제조사:

Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호:

2SC6076(TE16L1,NV)-DG

설명:

TRANS NPN 80V 3A PW-MOLD
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 3 A 150MHz 10 W Surface Mount PW-MOLD

재고:

12889979
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2SC6076(TE16L1,NV) 기술 사양

카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
NPN
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
3 A
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
80 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
500mV @ 100mA, 1A
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
180 @ 500mA, 2V
전력 - 최대
10 W
빈도 - 전환
150MHz
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
공급업체 장치 패키지
PW-MOLD
기본 제품 번호
2SC6076

데이터 시트 및 문서

데이터시트

추가 정보

다른 이름들
2SC6076(TE16L1NV)-DG
2SC6076(TE16L1NV)TR
2SC6076TE16L1NV
2SC6076(TE16L1NV)
2SC6076 (TE16L1,NV)
2SC6076(TE16L1NV)INACTIVE
2SC6076(TE16L1NV)DKR
2SC6076(TE16L1NV)CT
표준 패키지
2,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
RoHS Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0075

대체 모델

부품 번호
MJD243T4G
제조사
onsemi
구매 가능 수량
2406
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MJD243T4G-DG
단가
0.22
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