제조업체 제품 번호:
2SD2206A(T6SEP,F,M
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
2SD2206A(T6SEP,F,M-DG
설명:
TRANS NPN 120V 2A TO92MOD
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 2 A 900 mW Through Hole TO-92MOD
재고:
12891825
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제출
2SD2206A(T6SEP,F,M 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
트랜지스터 유형
NPN
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
2 A
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
120 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
1.5V @ 1mA, 1A
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
2000 @ 1A, 2V
전력 - 최대
900 mW
빈도 - 전환
-
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급업체 장치 패키지
TO-92MOD
기본 제품 번호
2SD2206
추가 정보
다른 이름들
2SD2206A(T6SEPFM
2SD2206AT6SEPFM
표준 패키지
1
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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