제조업체 제품 번호:
2SJ668(TE16L1,NQ)
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
2SJ668(TE16L1,NQ)-DG
설명:
MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD
상세 설명:
P-Channel 60 V 5A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount PW-MOLD
재고:
12889158
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제출
2SJ668(TE16L1,NQ) 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
-
시리즈
U-MOSIII
제품 상태
Obsolete
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
5A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
170mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
700 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
20W (Tc)
작동 온도
150°C
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PW-MOLD
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
2SJ668
추가 정보
다른 이름들
2SJ668(TE16L1NQ)
표준 패키지
2,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
TJ8S06M3L,LXHQ
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
3443
부품 번호
TJ8S06M3L,LXHQ-DG
단가
0.29
대체 유형
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