제조업체 제품 번호:
2SK3662(F)
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
2SK3662(F)-DG
설명:
MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS
상세 설명:
N-Channel 60 V 35A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220NIS
재고:
12889389
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
2SK3662(F) 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
-
시리즈
U-MOSIII
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
35A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
12.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
5120 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
35W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220NIS
패키지 / 케이스
TO-220-3 Full Pack
기본 제품 번호
2SK3662
추가 정보
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
SSM3H137TU,LF
MOSFET N-CH 34V 2A UFM
TK30S06K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
SSM3K37FS,LF
MOSFET N-CH 20V 200MA SSM