제조업체 제품 번호:
HN1A01FE-GR,LF
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
HN1A01FE-GR,LF-DG
설명:
TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
재고:
3988 새로운 원본 재고 있음
12891219
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제출
HN1A01FE-GR,LF 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 바이폴라 트랜지스터 배열
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
2 PNP (Dual)
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
150mA
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
50V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
전력 - 최대
100mW
빈도 - 전환
80MHz
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
SOT-563, SOT-666
공급업체 장치 패키지
ES6
기본 제품 번호
HN1A01
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
HN1A01FE-GR(5LFTDKR
HN1A01FE-GR(5L,F,T
HN1A01FE-GRLF(BCT
HN1A01FE-GR(5LFTDKR-DG
HN1A01FE-GR(5LFTTR
HN1A01FE-GRLFCTINACTIVE
HN1A01FE-GRLFTR
HN1A01FE-GRLFTRINACTIVE
HN1A01FE-GRLFDKR
HN1A01FE-GR,LF(T
HN1A01FE-GRLF(BTR
HN1A01FEGRLFTR-DG
HN1A01FE-GR(5LFTCT-DG
HN1A01FE-GRLF(BTR-DG
HN1A01FEGRLFTR
HN1A01FE-GR(5LFTCT
HN1A01FE-GRLF(BCT-DG
HN1A01FE-GRLFDKRINACTIVE
HN1A01FE-GRLFCT
HN1A01FE-GRLF(BDKR
HN1A01FE-GRLF(BDKR-DG
HN1A01FE-GR(5LFTTR-DG
HN1A01FE-GR,LF(B
표준 패키지
4,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
대체 모델
DIGI 인증
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