HN1B04FU-Y(T5L,F,T
제조업체 제품 번호:

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

Product Overview

제조사:

Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호:

HN1B04FU-Y(T5L,F,T-DG

설명:

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 150MHz 200mW Surface Mount US6

재고:

12889626
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제출

HN1B04FU-Y(T5L,F,T 기술 사양

카테고리
바이폴라 (BJT), 바이폴라 트랜지스터 배열
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
NPN, PNP
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
150mA
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
50V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 6V
전력 - 최대
200mW
빈도 - 전환
150MHz
작동 온도
125°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급업체 장치 패키지
US6
기본 제품 번호
HN1B04

데이터 시트 및 문서

데이터시트

추가 정보

다른 이름들
HN1B04FU-Y(T5LFTCT
HN1B04FU-Y(T5LFTDKR
HN1B04FU-Y(T5LFTTR
표준 패키지
3,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
RoHS Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0075

대체 모델

부품 번호
UMZ1NT1G
제조사
onsemi
구매 가능 수량
11000
부품 번호
UMZ1NT1G-DG
단가
0.03
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