제조업체 제품 번호:
HN1C03FU-B,LF
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
HN1C03FU-B,LF-DG
설명:
NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 20V 300mA 30MHz 200mW Surface Mount US6
재고:
5728 새로운 원본 재고 있음
12890344
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제출
HN1C03FU-B,LF 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 바이폴라 트랜지스터 배열
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
2 NPN (Dual)
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
300mA
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
20V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
100mV @ 3mA, 30A
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
350 @ 4mA, 2V
전력 - 최대
200mW
빈도 - 전환
30MHz
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급업체 장치 패키지
US6
기본 제품 번호
HN1C03
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
HN1C03FU-B,LF(B
HN1C03FU-B,LF(T
HN1C03FU-BLFDKR
HN1C03FU-BLFTR
HN1C03FU-BLFCT
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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