제조업체 제품 번호:
HN4B102J(TE85L,F)
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
HN4B102J(TE85L,F)-DG
설명:
PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 1.8A, 2A 750mW Surface Mount SMV
재고:
2900 새로운 원본 재고 있음
12988801
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
HN4B102J(TE85L,F) 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 바이폴라 트랜지스터 배열
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
NPN, PNP
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
1.8A, 2A
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
30V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
200 @ 200mA, 2V
전력 - 최대
750mW
빈도 - 전환
-
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
SC-74A, SOT-753
공급업체 장치 패키지
SMV
기본 제품 번호
HN4B102
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
264-HN4B102J(TE85LF)TR
264-HN4B102J(TE85LF)TR-DG
264-HN4B102J(TE85L,F)DKR
264-HN4B102J(TE85L,F)TR-DG
264-HN4B102J(TE85L,F)TR
264-HN4B102J(TE85L,F)CT
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
관련 상품
ULN2803CDWR
50-V, EIGHT-CHANNEL DARLINGTON A
SBC846BDW1T1G-M01
SBC846BDW1T1G-M01
CMLT3474 TR
TRANS NPN/PNP 25V 1A SOT563
