제조업체 제품 번호:
MT3S111P(TE12L,F)
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
MT3S111P(TE12L,F)-DG
설명:
RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
상세 설명:
RF Transistor NPN 6V 100mA 8GHz 1W Surface Mount PW-MINI
재고:
12889198
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제출
MT3S111P(TE12L,F) 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 양극성 RF 트랜지스터
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
트랜지스터 유형
NPN
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
6V
빈도 - 전환
8GHz
잡음 지수(dB Typ @ f)
1.25dB @ 1GHz
이득
10.5dB
전력 - 최대
1W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
200 @ 30mA, 5V
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
100mA
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
TO-243AA
공급업체 장치 패키지
PW-MINI
기본 제품 번호
MT3S111
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
MT3S111P(TE12LF)DKR
MT3S111P(TE12LF)TR
MT3S111P(TE12LF)
MT3S111P(TE12LF)CT
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0075
대체 모델
부품 번호
BFP460H6327XTSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
897
부품 번호
BFP460H6327XTSA1-DG
단가
0.10
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0.14
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0
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