제조업체 제품 번호:
RN1106MFV,L3F
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
RN1106MFV,L3F-DG
설명:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
상세 설명:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
재고:
53233 새로운 원본 재고 있음
12891576
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제출
RN1106MFV,L3F 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일, 프리바이즈드 바이폴라 트랜지스터
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
NPN - Pre-Biased
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
100 mA
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
50 V
저항기 - 베이스(R1)
4.7 kOhms
저항기 - 이미터 베이스(R2)
47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
500nA
전력 - 최대
150 mW
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
SOT-723
공급업체 장치 패키지
VESM
기본 제품 번호
RN1106
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
RN1106MFV,L3F(T
RN1106MFVL3F-DG
RN1106MFV,L3F(B
RN1106MFVL3F(B
RN1106MFVL3F(T
RN1106MFVL3FDKR
RN1106MFVL3F
RN1106MFVL3FTR
RN1106MFVL3FCT
표준 패키지
8,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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