제조업체 제품 번호:
RN1405,LF
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
RN1405,LF-DG
설명:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
상세 설명:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini
재고:
8629 새로운 원본 재고 있음
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제출
RN1405,LF 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일, 프리바이즈드 바이폴라 트랜지스터
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
NPN - Pre-Biased
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
100 mA
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
50 V
저항기 - 베이스(R1)
2.2 kOhms
저항기 - 이미터 베이스(R2)
47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
500nA
빈도 - 전환
250 MHz
전력 - 최대
200 mW
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급업체 장치 패키지
S-Mini
기본 제품 번호
RN1405
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
RN1405S,LF
RN1405SLF(D-DG
RN1405,LFDKR-DG
RN1405LFTR
RN1405SLFCT-DG
RN1405SLFDKR-DG
RN1405LF
RN1405S,LF(D
RN1405SLF(D
RN1405SLFTR
RN1405LFDKR
RN1405,LFCT
RN1405SLFTR-DG
RN1405SLFCT
RN1405SLF
RN1405LFCT
RN1405,LFDKR
RN1405SLFDKR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0075
DIGI 인증
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