제조업체 제품 번호:
RN1444ATE85LF
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
RN1444ATE85LF-DG
설명:
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.3A SMINI
상세 설명:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20 V 300 mA 30 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini
재고:
12891057
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제출
RN1444ATE85LF 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일, 프리바이즈드 바이폴라 트랜지스터
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
트랜지스터 유형
NPN - Pre-Biased
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
300 mA
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
20 V
저항기 - 베이스(R1)
2.2 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
200 @ 4mA, 2V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
100mV @ 3mA, 30mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
100nA (ICBO)
빈도 - 전환
30 MHz
전력 - 최대
200 mW
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급업체 장치 패키지
S-Mini
기본 제품 번호
RN1444
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
RN1444-A(TE85L,F)
RN1444ATE85LFDKR
RN1444ATE85LFCT
RN1444ATE85LFTR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
대체 모델
부품 번호
PDTD123TT,215
제조사
NXP Semiconductors
구매 가능 수량
66968
부품 번호
PDTD123TT,215-DG
단가
0.02
대체 유형
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