제조업체 제품 번호:
RN1911FETE85LF
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
RN1911FETE85LF-DG
설명:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
상세 설명:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
재고:
12891129
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제출
RN1911FETE85LF 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 바이폴라 트랜지스터 배열, 프리 바이어스
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
100mA
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
50V
저항기 - 베이스(R1)
10kOhms
저항기 - 이미터 베이스(R2)
-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
100nA (ICBO)
빈도 - 전환
250MHz
전력 - 최대
100mW
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
SOT-563, SOT-666
공급업체 장치 패키지
ES6
기본 제품 번호
RN1911
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
RN1911FE(TE85L,F)
RN1911FETE85LFCT
RN1911FETE85LFTR
RN1911FETE85LFDKR
표준 패키지
4,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
대체 모델
DIGI 인증
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