제조업체 제품 번호:
RN2901(T5L,F,T)
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
RN2901(T5L,F,T)-DG
설명:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
상세 설명:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
재고:
12889747
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
RN2901(T5L,F,T) 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 바이폴라 트랜지스터 배열, 프리 바이어스
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
트랜지스터 유형
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
100mA
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
50V
저항기 - 베이스(R1)
4.7kOhms
저항기 - 이미터 베이스(R2)
4.7kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
100nA (ICBO)
빈도 - 전환
200MHz
전력 - 최대
200mW
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급업체 장치 패키지
US6
기본 제품 번호
RN2901
추가 정보
다른 이름들
RN2901(T5LFT)TR
RN2901(T5LFT)DKR
RN2901(T5LFT)CT
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
대체 모델
부품 번호
RN2961(TE85L,F)
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
2383
부품 번호
RN2961(TE85L,F)-DG
단가
0.05
대체 유형
Similar
DIGI 인증
관련 상품
RN1965FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN4901FE,LF(CT
PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
RN1510(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
