제조업체 제품 번호:
SSM3J112TU,LF
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
SSM3J112TU,LF-DG
설명:
MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
상세 설명:
P-Channel 30 V 1.1A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount UFM
재고:
748 새로운 원본 재고 있음
12889990
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제출
SSM3J112TU,LF 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
1.1A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
390mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.8V @ 100µA
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
86 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
800mW (Ta)
작동 온도
150°C
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
UFM
패키지 / 케이스
3-SMD, Flat Leads
기본 제품 번호
SSM3J112
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
264-SSM3J112TU,LFCT
SSM3J112TULF-DG
264-SSM3J112TU,LFTR
SSM3J112TULF
264-SSM3J112TU,LFDKR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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