제조업체 제품 번호:
SSM3J14TTE85LF
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
SSM3J14TTE85LF-DG
설명:
MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM
상세 설명:
P-Channel 30 V 2.7A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSM
재고:
12889136
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제출
SSM3J14TTE85LF 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
-
시리즈
U-MOSII
제품 상태
Obsolete
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
85mOhm @ 1.35A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
-
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
413 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
700mW (Ta)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TSM
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
기본 제품 번호
SSM3J14
추가 정보
다른 이름들
SSM3J14T (TE85L,F)
SSM3J14T(TE85L,F)
SSM3J14TTE85LFCT
SSM3J14TTE85LFDKR
SSM3J14TTE85LFTR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
대체 모델
부품 번호
BSS308PEH6327XTSA1
제조사
Infineon Technologies
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623
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