제조업체 제품 번호:
SSM3J35MFV,L3F
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
SSM3J35MFV,L3F-DG
설명:
MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
상세 설명:
P-Channel 20 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
재고:
35555 새로운 원본 재고 있음
12889711
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제출
SSM3J35MFV,L3F 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
100mA (Ta)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
8Ohm @ 50mA, 4V
Vgs(일) (최대) @ Id
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
12.2 pF @ 3 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
150mW (Ta)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
VESM
패키지 / 케이스
SOT-723
기본 제품 번호
SSM3J35
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SSM3J35MFVL3F(T
SSM3J35MFVTL3T
SSM3J35MFV(TL3,T)
SSM3J35MFV(TL3T)DKR-DG
SSM3J35MFV,L3F(T
SSM3J35MFVL3FCT
SSM3J35MFV(TL3T)TR-DG
SSM3J35MFVL3FTR
SSM3J35MFV(TL3T)TR
SSM3J35MFVL3F(B
SSM3J35MFV(TL3T)DKR
SSM3J35MFVL3FDKR
SSM3J35MFV(TL3T)CT-DG
SSM3J35MFV,L3F(B
SSM3J35MFVL3F
SSM3J35MFV(TL3T)CT
표준 패키지
8,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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