제조업체 제품 번호:
SSM3J66MFV,L3XHF
Product Overview
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
부품 번호:
SSM3J66MFV,L3XHF-DG
설명:
AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA
상세 설명:
P-Channel 20 V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
재고:
14411 새로운 원본 재고 있음
12996440
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제출
SSM3J66MFV,L3XHF 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
U-MOSVI
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
800mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.2V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
390mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
1.6 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
+6V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
100 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
150mW (Ta)
작동 온도
150°C
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
VESM
패키지 / 케이스
SOT-723
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
264-SSM3J66MFV,L3XHFDKR
264-SSM3J66MFVL3XHFTR
264-SSM3J66MFVL3XHFDKR
264-SSM3J66MFV,L3XHFCT
264-SSM3J66MFV,L3XHFDKR-DG
264-SSM3J66MFV,L3XHFTR-DG
264-SSM3J66MFVL3XHFCT
264-SSM3J66MFV,L3XHFTR
264-SSM3J66MFV,L3XHFCT-DG
표준 패키지
8,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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